Узнать цену

Производитель может поднять цены — запросите коммерческое предложение сейчас, и мы зафиксируем за вами текущую цену.

  • img
    Привезем под заказ
  • img
    Срок поставки с завода 6-8 недель

Graphene FET chip GRFETS10-1EA

Гарантия 1 год
Код:
GRFETS10-1EA
Производитель:
Sigma-Aldrich
Онлайн консультант Анна Головацкая
Онлайн консультант Анна Головацкая Получить консультацию эксперта
Производитель:
Sigma-Aldrich

General description
Device configuration:
This Graphene FET chip provides 36 graphene devices distributed in a grid pattern on the chip. 30 devices have Hall-bar geometry and 6 have 2-probe geometry.
The Hall-bar devices can be used for Hall measurements as well as 4-probe and 2-probe measurements. There are graphene channels with varied dimensions to allow systematic investigation of device properties.
Graphene FET chip (GFET-S10 chip) is a graphene based field effect transistor chip with a symmetric transconductance of 8 µS and an operational current density of 105 A/cm2. The fabricated device has a monolayered graphene which is coated by chemical vapor deposition (CVD) on silicon substrate. It also has similar gate insulators in the source and drain.
Application
GFET-S10 chip can be used as a biosensor and a chemical sensor for biological applications.
  • Graphene device research
  • FET based sensor research for active materials deposited on graphene
  • Chemical sensors
  • Biosensors
  • Bioelectronics
  • Magnetic sensors
  • Photodetectors

Features and Benefits
Device Features:
  • State-of-art graphene FETs utilizing consistent high-quality CVD grown monolayer graphene
  • Devices are not encapsulated and can be functionalized by additives
  • Perfect platform for sensor research and development
  • 36 individual graphene FETs per chip
  • Mobilities typically > 1000 cm2/V·s

Caution
Basic handling instructions:The monolayer CVD graphene used in this FET device is highly prone to damage by external factors.
To maintain the quality of the devices, we recommend taking the following precautions:
  • Be careful when handling the graphene FET chip.
  • Tweezers should not contact the device area directly.

Параметры
descriptionDirac point:< 50 V , Gate Oxide material: SiO2, Gate Oxide thickness: 90 nm, Graphene field-effect mobility: >1000 cm2/V·s, Maximum gate-source voltage: ± 50 V
Maximum temperature rating: 150 °C
Maximum drain-source current density: 107 A/cm2, Metallization: Chromium 2 nm/Gold 50 nm, Monolayer CVD grown Graphene based field effect transistors (FET) S10, Residual charge carrier density: <2 x 1012 cm-2, Resistivity of substrate: 1-10 ·cm, Yield >75%

Safety Information
WGK GermanyWGK 3
Flash Point FNot applicable
Flash Point CNot applicable
Пуско-наладка
Выполним распаковку, визуальную проверку, сборку и установку, запуск и настройку, проверку функциональности, проведем инструктаж персонала.
Техническое обслуживание
Проведем периодические регламентные работы: визуальный осмотр, очистка засоренных узлов и частей, замена расходных материалов и изношенных деталей, тестирование прибора, проверка показателей и измерение параметров, калибровка и настройка, обновление программного обеспечения.
IQ/OQ/PQ квалификация, валидация
Проведем монтажную (IQ), операционную (OQ) и эксплуатационную (PQ) квалификацию оборудования по протоколам производителя в полном соответствии с стандартами GMP/GLP.
Ремонт
Проведем диагностику в нашем сервисном центре или у Вас на предприятии, выявим причину поломки, устраним неисправность, проведем тестирование, настройку, калибровку отремонтированного оборудования.

Получите коммерческое предложение в течение 1 часа

Менеджер подготовит коммерческое предложение и позвонит, если понадобится уточнить детали вашего заказа

img
Анна Гловацкая Менеджер по работе с клиентами
Получите коммерческое предложение в течение 1 часа
Как к вам обращаться?
Введите телефон
Введите email
Комментарий (если есть)
Прикрепить ТЗ или заявку (до 10 мб)

С 2010 года мы поставляем оборудование с заводов Европы. Берем на себя все — от подбора оборудования до внедрения на предприятии

img
Обрудование подберут сотрудники с высшим химическим образованием

Все сотрудники имеют высшее образование, закончили ведущие химические вузы страны, такие как РХТУ им Менделеева.

img
Организуем поставку с завода- изготовителя за 6-8 недель

У большинства компаний срок ожидания составляет 10-12 недель.

img
Храним оборудование по требованиям производителя

Оборудование хранится на сухом отапливаемом складе, где поддерживается ровная температура.

img
Доставим по Москве на следующий день, по России — за 3-4 дня

Работаем с PonyExpress и Деловыми линиями. Вы также можете выбрать свою транспортную компанию или забрать товар со склада в Москве.

img
Выполним бесплатный ремонт и сервисное обслуживание

В случае любых неполадок за свой счет выполним ремонт в сервисном центре или на заводе-изготовителе. Или бесплатно заменим прибор на новый.

img
Обеспечим легкое внедрение на предприятие

Производим пуско-наладку оборудования, валидацию, обучение сотрудников. Если нужно, привлекаем инженеров с заводов- изготовителей.

Отзывы

Узнать цену

Производитель может поднять цены — запросите коммерческое предложение сейчас, и мы зафиксируем за вами текущую цену.

  • img
    Привезем под заказ
  • img
    Срок поставки с завода 6-8 недель

Graphene FET chip GRFETS10-1EA

Гарантия 1 год
Код:
GRFETS10-1EA
Производитель:
Sigma-Aldrich
Онлайн консультант Анна Головацкая
Онлайн консультант Анна Головацкая Получить консультацию эксперта

Похожие товары: